英飞凌H25R1202清单

功率大的半导体元器件对溫度比较敏感、怕高温，太热非常容易毁坏，因此大电流下将工作电压减少（既功耗更小）会更经久耐用，假如功耗过大发烫比较严重，必定使用寿命减少，稳定性差。下面的图中的电源电路运用大电流下，测试全桥与IGBT的损耗，压降减少以后，必定作用小，更靠谱。数字万用表给予的测试工作电压低，测试电流小，测试有局限。

电滋炉常见全桥为15A/600V ~ 25A/800V，IGBT一般为15A~25A/1200V，以2100W电滋炉为例子，Io≈9A（由于电磁炉功率要素不太可能为I，因此输出功率÷工作电压获得的电流值，做为估计值），实际上测试数据如下所示（实验以贴近真正的工作中电流为目地）：

以英飞凌（西门子PLC）的IGBT管的压减少，功耗更小，更靠谱，散热器还可以相对性小一点，销售市场上所说的英飞凌H25R1202清单是假品。

因为元器件的高频率特点与抗压主要参数没法精确测量，此方式岗位选择元器件给予一个参照。