原理:IGBT管的驱动信号,一路经T1倒相,触发NE555延迟,③脚导出高电平使T2饱和状态导通,不触发可控硅VS。如驱动信号占空比过长,在NE555延迟值后仍然维持高电平,因为③脚变低电频,T2截至,驱动信号触发可控硅VS导通,根据二极管D,把射随器T3的基极电位差降低,射随终止导出。假如驱动信号一切正常,则驱动信号立即根据5k电阻器,经T3射随导出。
发光二极管LED,一方面起维护标示功效,另一方面,一旦可控硅VS触发,可根据LED保持VS的导通情况。
驱动单脉冲的上沿,经T1、NE555,到T2导通,必须一定的時间,为避免这一瞬间驱动信号立即触发可控硅导通,可控硅触发极并接电容器,以防止误触发。
电滋炉输出功率20-30kHz;导出的波形pwm占空比也不一定维持50%,因此NE555⑥、⑦脚的RC值,一切正常的电滋炉IGBT管较大很有可能的驱动占空比来选值。
元器件挑选:T1-T3可以用9014;可控硅用单边1A/400V,别的元器件没特别要求。
不一样电滋炉驱动一部分电源电路采用的工作电压各有不同。NE555抗压16V(本设备采用15V),开关电源处接(图内开关电源一部分略)。
实际布线不赘述。把键入、导出接上后,不必忘记了电线接头。
注:假如加温线盘有匝间短路故障,本设备就维护不到了。